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Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky barrier diode
RB225T-60
?Applications
?????? ?Dimensions (Unit : mm)
?Structure
Switching power supply
?Features
1) Cathode common type.
(TO-220)
2) Low IR
3) High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Absolute maximum ratings
(Ta=25
?C)
Symbol UnitLimits
Reverse voltage (repetitive peak)
VRM
V
VR
V
Average rectified forward current(*1) Io A30
Forward current surge peak (60Hz/1cyc) (*1)
IFSM
A
Tj
?C
Tstg
?C
?Electrical characteristic
(Ta=25
?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Forward characteristics
VF
- - 0.63 V
IF=15A
Reverse characteristics
IR
- - 600
μA
VR=60V
Thermal impedance
?jc
- - 1.75
?C/W
junction to case
Conditions
Storage temperature
?40 to ?150
(*1)Business frequencies, Rating of R-load, 1/2 Io per diode, Ta=108?C
Parameter
100
Junction temperature
150
Parameter
60
Reverse voltage (DC)
60
(1) (2) (3)
1.2
1.3
0.8
(1) (2) (3)
10.0±0.3
　　　 0.1
5.0±0.2
8.0±0.2
12.0±0.2
2.8±0.2
　　　 0.1
4.5±0.3
　　　 0.1
0.7±0.1
0.05
2.6±0.5
13.5MIN
8.0
15.0±0.4
　 0.2
①
ROHM : ＴO220FN
①
Manufacture Date
1/3
2011.04 - Rev.C
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